冷群文
- 所在学科：仪器仪表工程
- 联系电话：15964215988
- E-mail：qleng@bitjx.edu.cn
- 办公室地点：北京成品人和一品二品的区别良乡校区/北京成品人和一品二品的区别长三角研究院
- 交流时间：工作日9:00-11:00 13:00-15:00
教育和工作经历
教育经历：
1. 本科 1980.09-1985.07，清华大学，近代物理学
2. 硕士 1985.09-1988.11，中科院物理所，物理学
3. 博士 1991.11-1994.06，德国科隆大学，物理学
工作经历：
1. 访问学者 1994.07-1995.12，德国马克斯普朗克微结构物理研究所
2. 博士后 1996.01-1996.05，美国阿拉巴马大学信息技术材料中⼼
3. 首席工程师 1996.12-2000.05，美国里德赖特公司
4. 高级光学设计工程师 2000.05-2001.08，美国光电
5. 首席工程师 2001.08-2004.03，美国千兆比特光学公司
6. 工程副总栽 2004.03-2005.08，美国酷光网络
7. 研发总监 2005.08-2015.12，美国西部数据公司
8. 副总裁 2016.10-2023.06，美国歌尔微电子公司
9. 教授/战略科学家 2024.04-至今，北京成品人和一品二品的区别/北京成品人和一品二品的区别长三角研究院（嘉兴）
研究方向
1.研究方向一 自旋电子学
2.研究方向二 TMR磁场/电流传感芯片
3.研究方向三 自旋微机电声学传感芯片
团队介绍
量子自旋微机电传感芯片团队由多年企业研发经验的国家级人才，团队建设包括“功能膜层制备表征—晶圆微纳加工—晶圆器件表征—系统集成应用”完整的 8 英寸自旋 MEMS 传感芯片产业研发平台，实现工艺开发的完全自主可控，最终完成传感芯片的产业化和承接国家重大项目攻关。团队能够为博士研究生提供一个独特的科研与实践相结合的平台，使其能够在标准产业化芯片产线中深入开展科学研究和产业化研发工作。通过整合高校、科研机构与企业的优势资源，培养具有扎实理论基础和丰富实践经验的高端专业人才，推动传感芯片技术的创新发展和产业化进程。
论文
论文一：Magnetic coupling governed pinning directions in magnetic tunnel junctions under magnetic field annealing with zero magnetic field cooling[J]. Science China Information Sciences, 2023, 66(4): 149402.
论文二：Zhou T, Zhou S, Xie X, et al. Perpendicular effective field induced by spin-orbit torque and magnetization damping in chiral domain walls[J]. Physical Review B, 2023, 107(10): 104411.
论文三：Li Z, Zhang K, Shen L, et al. Field-free magnetization switching induced by bulk spin–orbit torque in a (111)-oriented CoPt single layer with in-plane remanent magnetization[J]. ACS Applied Electronic Materials, 2022, 4(8): 4033-4041.
论文四：Yan S, Chen W, Zhou Z, et al. Reversal of the pinning direction in the synthetic spin valve with a NiFeCr seed layer[J]. Nanomaterials, 2022, 12(12): 2077.
论文五：Zhou T, Xie X, Zhao X, et al. Critical magnetic field for lifting the degeneracy of monochiral domain walls with strong interlayer antiferromagnetic coupling[J]. Physical Review B, 2022, 105(14): 144434.
论文六：Chen W, Hao R, Lu S, et al. Influence of seed layer on the magnetoresistance properties in IrMn-based magnetic tunnel junctions[J]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2022, 546: 168674.
论文七：Yan S, Zhou Z, Yang Y, et al. Developments and applications of tunneling magnetoresistance sensors[J]. Tsinghua Science and Technology, 2021, 27(3): 443-454.
论文八：Cao Z, Chen W, Lu S, et al. Tuning the linear field range of tunnel magnetoresistive sensor with MgO capping in perpendicular pinned double-interface CoFeB/MgO structure[J]. Applied Physics Letters, 2021, 118(12).
论文九：Cao Z, Wei Y, Chen W, et al. Tuning the pinning direction of giant magnetoresistive sensor by post annealing process[J]. Science China Information Sciences, 2021, 64(6): 162402.
论文十：Lei Z, Yan S, Cao Z, et al. High TMR for both in-plane and perpendicular magnetic field justified by CoFeB free layer thickness for 3-D MTJ sensors[J]. AIP Advances, 2019, 9(8).
论文十一：Chen W, Lin Y, Zhang K, et al. Spin orbit torque locally controlling exchange bias to realize high detection sensitivity of two-dimensional magnetic field[J]. Fundamental Research, 2023.
论文十二：Zi-Tong Z, Shao-Hua Y, Wei-Sheng Z, et al. Research progress of tunneling magnetoresistance sensor[J]. Acta Physica Sinica, 2022, 71(5).
论文十三：Li Z, Zhang K, Chen W, et al. Uniform CoPt permanent magnetic film with high in-plane coercivity[C]//2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM). IEEE, 2021: 1-3.
论文十四：Cao Z, Chen W, Zhao H, et al. A model to design giant magnetoresistive sensor[C]//Journal of Physics: Conference Series. IOP Publishing, 2021, 1739(1): 012037.
论文十五：Yan S, Zhou Z, Cao Z, et al. Tunable sensing performance of linear perpendicular TMR sensor[C]//2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM). IEEE, 2021: 1-3.
主持项目
项目一：2012.01–2014.12
项目名称：阻抗调谐对射频溅射氧化镁隧穿磁阻的影响及硼在自由层中的扩散对钛覆盖隧穿磁阻的影响研究
项目来源：美国西部数据公司先进材料及传感技术研发部
经费总额：2200 万元
本人角色：项目负责人
主要工作：负责项目整体实施与过程管理，领导团队开展NPI传感器的工艺研发与过程控制；协调开发和WIP流程的资源配置；与设计、设备及集成团队紧密合作，推动可靠磁记录传感器的实现。
项目二：2013.12–2014.12
项目名称：极强钉扎反铁磁薄膜生长及界面材料匹配优化研究
项目来源：美国西部数据公司先进材料及传感技术研发部
经费总额：1800 万元
本人角色：项目负责人
主要工作：主导1Tb/in²以上TuMR磁头工艺的开发，建立读写器应用所需的计量方法并实现成果转移至制造环节；调试晶圆生产问题并开展工艺物理表征，有效提升了与薄膜记录头相关产品的产量与可靠性。
项目三：2014.01–2015.10
项目名称：异质磁性结构的间层磁相互作用与Heusler高极化合金膜垂直巨磁阻器件研发
项目来源：美国西部数据公司先进材料及传感技术研发部
经费总额：1600 万元
本人角色：项目负责人
主要工作：负责半金属磁性材料工艺与相关度量学方法的研发，推动其在极高密度硬盘驱动器中的应用；同时开展极磁记录传感器的工艺编程研究，为下一代高性能存储器件奠定了技术基础。
专利
1. Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang. Microphone（麦克风）: 美国，US 11,297,441 B2 (P). 2022.04.
2. Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang. MEMS microphone（微机电麦克风）: 美国，US 11,102,586 B2 (P). 2021.08.
3. Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang. MEMS microphone（微机电麦克风）: 美国，US 2020/0267480 A1 (P). 2020.08.
4. Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang. Microphone（麦克风）: 美国，US 2020/0236471 A1 (P). 2020.07.
5. Joshua Jones, Christian Kaiser, Yuankai Zheng, Qunwen Leng. Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer（具有用于钉扎层的非磁性插入层的磁性读取器）: 美国，US 10,242,700 B2 (P). 2019.03.
6. Gerardo A. Bertero, Shaoping Li, Qunwen Leng, Yuankai Zheng, Rongfu Xiao, Ming Mao, Shihai He, Miaoyin Wang. Free layer magnetic reader that may have a reduced shield - to - shield spacing（可减小屏蔽间距的自由层磁读取器）: 美国，US 10,121,501 B2 (P). 2018.11.
7. Yuankai Zheng, Qunwen Leng. Recording read heads with a multi - layer AFM layer methods and apparatuses（利用多层 AFM 层记录读磁头的方法和装置）: 美国，US 10,008,219 B2 (P). 2018.06.
8. 冷群文，曹志强，闫韶华，郭宗夏，郑臻益，赵巍胜 单、双轴磁场传感器及电子设备：中国，CN 208283534 U (P). 2018.04.
9. Joshua Jones, Christian Kaiser, Yuankai Zheng, Qunwen Leng. Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer（具有用于钉扎层的非磁性插入层的磁性读取器）: 美国，US 2018/0075869 A1 (P). 2018.03.
10. Gerardo A. Bertero, Shaoping Li, Qunwen Leng, Yuankai Zheng, Rongfu Xiao, Ming Mao, Shihai He, Miaoyin Wang. Free layer magnetic reader that may have a reduced shield - to - shield spacing（可减小屏蔽间距的自由层磁读取器）: 美国，US 2017/0249959 A1 (P). 2017.08.
11. 邹泉波，丁凯文，冷群文，赵海伦，安琪，周汪洋 微机电系统麦克风、麦克风单体及电子设备：中国，CN 111885472 B (P). 2021.12.
12. 陈文静，邹泉波，周子童，丁凯文，赵巍胜，冷群文 一种用于微型麦克风的悬臂梁振膜和微型麦克风：中国，CN 110798787 B (P). 2021.10.
13. 邹泉波，冷群文 MEMS 传感器及电子设备：中国，CN 109941956 B (P). 2021.11.
14. 邹泉波，冷群文 一种磁传感器的制造方法、磁传感器及电子设备：中国，CN 110581216 B (P). 2021.08.
15. 邹泉波，冷群文 一种 GMR/TMR 麦克风的制造方法：中国，CN 109819390 B (P). 2020.05.
16. 邹泉波，冷群文，王喆 一种传感器：中国，CN 109211281 B (P). 2019.10.
获奖
1.2007年，美国西部数据公司 关键贡献奖、杰出创新奖、年度重要贡献奖，个人排名第1。
2.2008年，美国西部数据公司 特别总裁奖、特别人才奖，个人排名第1。
3.2009年，美国西部数据公司 年度重要贡献奖，个人排名第1。
4.2010年，美国西部数据公司 年度关键成员奖，个人排名第1。
5.2012年，美国西部数据公司 年度重要贡献奖，个人排名第1。
6.2013年，美国西部数据公司 领导能力奖（由公司总裁及CEO联合颁发），个人排名第1。
已研究重要产品包括
1. 自旋麦克风设备——全球最小型体的麦克风设备；
2. 单双轴磁场传感器——已应用于TWS和VR产品
3. 具有晶体势垒层的自旋隧道磁性元件的方法和系统
4. 磁传感器——具有晶体势垒层的自旋隧道磁性元件
5. 基于SOT效应产生偏置的磁性薄膜材料结构
6. 自旋电子传感器和电子设备
7. 硬盘驱动器